آی جی بی تی دوبل ۴۵۰ آمپر FUJI 2MBI450VH-120
آی جی بی تی دوبل 450 آمپر FUJI 2MBI450VH-120 از نسل 4 آی جی بی تی ها بوده که نسبت به مدل های قبلیه خود کیفیت و کاربرد بسیار بهتری دارد. این محصول را با اطمینان و بدون نگرانی در منابع تغذیه (UPS) بی وقفه میتوان استفاده کرد.
آی جی بی تی دوبل 450 آمپر در امواج های قوی جهت کلید زنی از یک ترانزیستور برای بررسی سطح ولتاژ DC مورد استفاده قرار میگیرد. محصول رو به رو توسط شرکت سمیکرون واقع در آلمان بوده و از کیفیت بالایی برخوردار است. این محصول دارای جریان 200 آمپر و ولتاژ 1200 ولت می باشد.
آی جی بی تی دوبل ۴۵۰ آمپر FUJI 2MBI450VH-120
آی جی بی تی دوبل ۴۵۰ آمپر FUJI 2MBI450VH-120 از نسل ۴ آی جی بی تی ها بوده که نسبت به مدل های قبلیه خود کیفیت و کاربرد بسیار بهتری دارد. این محصول را با اطمینان و بدون نگرانی در منابع تغذیه (UPS) بی وقفه میتوان استفاده کرد.
آی جی بی تی دوبل ۴۵۰ آمپر در امواج های قوی جهت کلید زنی از یک ترانزیستور برای بررسی سطح ولتاژ DC مورد استفاده قرار میگیرد. محصول رو به رو توسط شرکت سمیکرون واقع در آلمان بوده و از کیفیت بالایی برخوردار است. این محصول دارای جریان ۲۰۰ آمپر و ولتاژ ۱۲۰۰ ولت می باشد.
آی جی بی تی دوبل ۴۵۰ آمپر FUJI 2MBI450VH-120 مهمترین عملکرد و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد. نوعی ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق می باشد که قطعه ای نیمه رسانا است. از محصول پیش رو می توان با اطمینان و بدون نگرانی در منابع تغذیه بی وقفه (UPS) استفاده نمود.
آی جی بی تی دوبل ۴۵۰ آمپر FUJI 2MBI450VH-120 نوعی ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق می باشد که قطعه ای نیمه رسانا است.مهمترین عملکرد و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد. در طی سالهای اخیر به علت قیمت مناسب و قابلیت های فراوان این قطعه از آن استفاده زیادی شده میشود.
از دیگر ویژگی های منحصر به فرد آی جی بی تی می توان به استحکام بالای ساخت آن اشاره نمود. این محصول با داشتن کیفیت ساخت عالی تا دمای ۱۱۰ درجه سانتی گراد را می تواند تحمل کند. برای خرید این محصول از فروشگاه لوکو الکتریک کافی است تا با ما تماس حاصل فرمایید.
ویژگی های کلیدی آی جی بی تی دوبل ۴۵۰ آمپر FUJI 2MBI450VH-120
آی جی بی تی دوبل ۱۵۰ آمپر میتوان گفت قابلیت های بسیار زیادی نسبت به ترانزیستور های دو قطبی معمولی دارد. از این قبیل مزایا نسبت به ترانزیستور MOSFET می توان به عملکرد بهتر، ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی کمتر اشاره نمود. برخی دیگر از ویژگی های این محصول در ادامه ذکر شده اند.
- سرعت سوئیچینگ بالا
- عملکرد و طول عمر بیشتر
- ولتاژ بالاتر
- تلفات ورودی کمتر
پی دی اف محصول